【液流电池论文赏析】祝贺我司客户西南科技大学张亚萍&李劲超团队发表JMS:构建具有优异质子传导性和选择性的复合膜用于钒液流电池
第一作者:黄文恒 通讯作者:张亚萍&李劲超 通讯单位:西南科技大学 成果简介 本文,西南科技大学张亚萍&李劲超团队采用溶液浇铸法制备了一系列支化聚酰亚胺/氧化石墨@沸石咪唑酸盐骨架-67(bSPI/GO@ZIF67)复合膜用于钒氧化还原液流电池(VFB)。ATR-FTIR、EDS和XPS分析证实了bSPI/GO@ZIF67复合膜的成功制备。优化后的bSPI/GO@ZIF67-1.5%与Nafion 212相比,表现出优异的性能,包括良好的面电阻(0.15Ωcm2)、低的钒离子渗透性(1.64×10-7cm2min−1)和优异的质子选择性(1.97×105min cm−3)。与此同时,bSPI/GO@ZIF67-1.5%复合膜在100mA cm-2~300mA cm-2下显示出优异的库仑和能量效率(分别为97.5%~99.3%和88.1%~73.7%),自放电持续时间延长50.4小时,优于Nafion 212。同时,该膜在160 mA cm-2下的800次充电/放电循环中保持稳定。理论计算表明,ZIF-67的中咪唑氮与bSPI磺酸基中的氢之间存在强烈的氢键相互作用(键距为1.06Å,相互作用能为-12.42 kcal mol−1),增强了膜的化学稳定性,同时有效地平衡了质子传导性和钒离子渗透性。 感谢西南科技大学张亚萍&李劲超团队(第一作者:黄文恒)校稿! 本文所用 一体化液流单电池测试系统(YTH-1/LSB-1) 由武汉之升新能源有限公司提供 研究背景 尽管MOFs作为离子交换膜中的填料具有显著优势,但直接加入聚合物浇铸溶液中通常会导致团聚和沉降,从而形成不均匀且易碎的膜。此外,MOF填充的膜往往形成不连续的质子传导路径,削弱了其在离子交换膜中对质子传输的贡献。为了解决这些问题,引入基于MOF的复合材料成为一种有效的策略,以改善MOF的分散并构建膜内的连续质子传输通道。 在之前的研究中,西南科技大学张亚萍&李劲超团队通过引入支化三胺单体合成了支化磺化聚酰亚胺(bSPI)膜。为了进一步提高bSPI膜的质子传导性,并提高更高电流密度下的能量效率,该团队合成了GO@ZIF67混合纳米片并将其掺入bSPI中以制备一系列复合膜。此方法的基本原理如下:i)纳入GO@ZIF67进入bSPI膜为钒离子创造了更窄、更曲折的传输路径,有效降低了渗透性,提高了离子选择性;ii)bSPI磺酸基中的氢原子与ZIF67咪唑基中的氮原子之间的氢键相互作用,以及GO上的含氧官能团,促进了额外质子传输通道的形成,从而提高了质子传导率;iii)GO在高酸性和氧化条件下表现出优异的稳定性,而ZIF67的疏水性和刚性骨架有助于抑制膜溶胀。此外,GO上的含氧基团、ZIF67咪唑基团中的氮和bSPI磺酸基团中的氢之间的氢键相互作用进一步增强了复合膜的整体稳定性。 核心内容 1.ZIF67和GO@ZIF67的XRD、FTIR、TEM和SEM分析 GO、ZIF67和GO@ZIF67的XRD图谱如图1a所示。ZIF67的衍射峰出现在7.4°、10.4°、12.7°、14.7°、16.4°、18.0°、22.1°、24.5°、25.5°、26.6°、29.6°、30.5°、31.4°、32.3°、34.9°、36.5°。XRD图谱显示GO@ZIF67与ZIF67的结构非常相似,证实了ZIF67在复合材料中的结构完整性。与GO@ZIF67相比,ZIF67在10°附近的特征峰明显变宽,证实了GO和ZIF67成功地结合到GO@ZIF67复合材料。 图1.(a)GO、ZIF67和GO@ZIF67的XRD;(b)GO、ZIF67和GO@ZIF67的FTIR光谱 图1b展示了GO和GO@ZIF67的FTIR光谱。在GO中,观察到–OH位于3400 cm−1,C=O位于1730 cm−1,C=C(sp²杂化)位于1623 cm−1,C–OH位于1380 cm−1,环氧C–O位于1224 cm−1烷氧基C–O位于1051 cm−1。ZIF67中的咪唑环的弯曲和伸缩振动在650 cm⁻1~1500 cm⁻1范围内,而1580 cm−1处的峰属于2-甲基咪唑的C=N。此外,1730 cm−1处的峰源自GO的骨架振动,424 cm−1处的吸收峰对应于Co–N,表明GO@ZIF67已成功合成。 如图2a~i所示,TEM图像显示GO具有透明层状结构,而ZIF67为六边形形态。如图2c所示,ZIF67均匀分散在GO纳米片上。GO和ZIF67之间的结构关系类似于表面有露珠的荷叶。在GO上沉积后,ZIF67颗粒的尺寸显著减小,并且在GO表面均匀分布。由于羟基和羧基官能团的存在,GO片作为基材可以有效地促进MOF晶体锚定。基于此,含氧基团可以用作Co2+的锚定位点,从而促进GO片上ZIF67晶体的形成和生长。因此,ZIF67在GO表面上均匀分布。如图2e~i所示,ZIF67和GO@ZIF67两个样品都表现出明确的六边形形态。EDS结果如图2j~m所示,证实了Co、C、N和O元素的均匀分布。 图2.(a-c)GO、ZIF67和GO@ZIF67的TEM图;(e-f)(d)GO、(g-i)ZIF67和(j-m)GO@ZIF67的SEM图;(j-m)GO@ZIF67的EDS图 2.化学结构和形态 ATR-FTIR光谱(图3)显示,膜中C=O的特征峰出现在1711和1664 cm−1处,而1344 cm−1处的振动峰归因于酰亚胺环中的C–N键。此外,-SO3H基团的振动峰分别出现在1028、1095和1193 cm−1处。与原始bSPI和bSPI/GO-1.5%膜相比,bSPI/ZIF67-1.5%和bSPI/GO@ZIF67-1.5%膜在424 cm−1处显示出一个特征峰,对应于Co–N键,证实了ZIF67的成功掺入。表面和横截面图像表明,在bSPI基质和GO@ZIF67之间的界面上没有明显的缺陷(图3c~d)。此外,bSPI/GO@ZIF67-1.5%膜的EDS结果如图3e~i所示,显示ZIF67在复合膜内均匀分布。 图3.(a,b)bSPI、bSPI/GO-1.5%、bSPI/ZIF67-1.5%和bSPI/GO@ZIF67-1.5%膜的ATR-FTIR光谱数据;(c,d)表面和横截面SEM图像;(e,i)bSPI/GO@ZIF67-1.5%膜的EDS 图4显示了bSPI、bSPI/GO、bSPI/ZIF67和bSPI/GO@ZIF67膜的N […]
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