【液流论文】大连化物所李先锋团队Angew:低温二价钒(V(II))沉淀的化学演变机制实现宽温域钒液流电池
第一作者:詹成波 通讯作者:李先锋 通讯单位:大连化学物理研究所 DOI:10.1002/anie.4197481 感谢大连化物所李先锋团队(第一作者:詹成波)校稿! 工作简介 本研究通过单晶X射线衍射(SCXRD)揭示了低温沉淀物的晶体结构为VSO₄·6H₂O,并结合原位变温拉曼光谱与密度泛函理论(DFT)计算阐明了其析出机制:该过程源于低温下HSO4⁻的去质子化作用增强(HSO4− + H2O ⇌ H3O+ + SO42−);SO₄²⁻作为阴离子桥,通过氢键直接促使两个V(H₂O)₆²⁺单元二聚化,进而引发沉淀;此外,作者团队提出双位点溶剂化调控策略,同时引入乙腈(ACN)和盐酸可精准调节V(II)的一级溶剂层(形成[V(H₂O)₅ACN]²⁺)及其二级溶剂环境(降低SO₄²⁻浓度)。所设计的电解液使VFB在−10°C、40mA cm⁻²下可稳定运行超过500次循环(约30天),EE>80%,充分展现了其在寒冷地区的应用潜力。 《2025年我司用户发表的液流电池论文合集》 研究背景 VFBs凭借结构设计的灵活性、长循环寿命及高效率,已成为电网级储能系统的理想候选方案。然而,在低温条件下电解液中会析出V(II)物种,不仅显著缩小了VFBs的工作温度范围(10°C–40°C),还限制了其大规模应用。因此,VFBs的安全运行高度依赖于外部热管理措施。遗憾的是,热管理系统会增加能耗并提高系统复杂性,从而降低电池的整体效率和经济可行性。 为防止钒(II)在低温下沉淀,除优化电解质的内在组分比例(如V/H比)外,现有策略主要集中在开发混合酸体系以及设计功能性添加剂。然而,除高浓度盐酸基配方外,其他体系通常无法确保钒(II)物种在−10°C及以下温度下的长期稳定性。而且,富含HCl的电解质虽能有效抑制钒(II)沉淀,却带来了新的挑战:升高的Cl⁻浓度会促进VOCl沉淀物的形成,并在充电过程中使Cl⁻发生电化学氧化生成有毒的氯气,不仅会损害钒(III)离子的稳定性,还会引发严重的安全与环境问题。最重要的是,在分子层面上对钒(II)沉淀过程的认知仍显不足,持续阻碍着低温电解质的合理设计与开发。 核心内容 1.钒(II)的晶体结构及其溶剂化行为 图1 V(II)离子的溶剂化结构 首先,在含有1.5M VSO₄的6M H2SO4的钒电解液中于−5°C条件下成功制备出结构明确的紫色单晶。SCXRD分析表明该晶体为VSO₄·6H₂O,属于单斜晶系,空间群为C₂/c,代表水合硫酸盐化合物。从几何结构来看,V(II)中心由六个水分子配位形成近乎理想的八面体V(H2O)₆²⁺单元,其中V−Ow配位键长度介于2.125至2.152Å之间。并且,SO4²⁻并未参与V(II)的第一配位层,而是占据相邻V(H2O)₆²⁺八面体之间的间隙位置。值得一提的是,V(H2O)₆²⁺的配位水分子通过扩展氢键网络与层间SO4²⁻强耦合,从而在整个晶格中形成三维框架结构。 DFT计算进一步证实从[V(H2O)₅SO₄]·H2O到[V(H2O)₆]·SO4的配体交换吉布斯自由能为17.16 kJ mol−1,表明六个水分子与V(II)的配位在热力学上更为有利。此外,紫外–可见光谱分析显示当在0.4M VSO₄/0.6M H2SO4电解质(0.4V−0.6S)中将额外硫酸浓度从0变化至2.5M时,560 nm和850 nm处的吸收峰位置均未发生显著偏移,表明V(II)离子的价电子不受硫酸添加的影响。此外,对1.5V−3S电解质进行的拉曼光谱分析未检测到特征性的V−O−S振动谱带,表明不存在直接的钒–硫酸根离子配位。V(II)电解质和VSO₄·6H₂O晶体的EXAFS光谱分析显示电解质与晶体均表现出相同的氧化态,且它们的VK边EXAFS傅里叶变换谱显示出高度相似的主峰特征。进一步,WT-EXAFS分析更直观地证明两者具有相同的V−Ow配位特性。综上所述,V(II)在水溶液中主要以V(H2O)₆²⁺复合物形式存在。 2.钒(II)的沉淀机制 图2沉淀形成的微观机制 在H2SO4溶液中,980cm-1处的SO42-特征带随着温度的降低而逐渐增强,而1050cm-1处的HSO4–带则随之减弱。在V(II)电解质中也观察到了相同的温度依赖性行为,其中HSO4–和SO42–的振动模式表现出类似的温度响应特性。此外,SO42–与HSO4–的拉曼峰强度比值随温度降低而单调增加,证实HSO4–在低温下的解离促使V(H2O)₆²⁺外层水合壳层中积累SO42–,进而诱发共离子效应促进V(II)的沉淀。 此外,V(II)浓度的增加伴随着水分子氢键网络的系统性重构。ATR-FTIR光谱反卷积分析揭示了三种不同的水分子氢键组分(强、中、弱)。随着V(II)浓度从0.5M增加到2.5M,整个O-H伸缩带经历了明显的光谱演变,强氢键成分的相对贡献显著增加,表明电解质中氢键相互作用的整体增强。随着溶质浓度的增加,溶液中金属离子的溶剂化结构可逐渐从自由水合离子演变为离子对,甚至进一步形成局部簇状结构。游离钒离子的密度梯度(RDG)分析显示孤立V(H2O)₆²⁺的RDG散点图显示出特征性的低梯度区域峰(sign(λ2)ρ<0),表明存在强烈的非共价V(II)-H2O吸引相互作用。当SO42–阴离子接近V(H2O)₆²⁺时,通过静电相互作用逐渐形成离子对和局部簇状结构,产生新的低梯度峰以指示新的相互作用位点。可视化空间分布分析进一步揭示了双重相互作用来源:即V(H2O)₆²⁺的离子–偶极耦合与硫酸根离子介导的氢键相互作用。而且,当水分子受V(II)几何约束并与SO42–形成稳定氢键时,原子位置进一步固定,显著增强了整体氢键强度。离子–偶极相互作用与氢键作用的协同效应促进了V(II)和SO42–的定向排列,从而扩大了成核位点,并最终推动宏观相分离的发生。 3.沉降机制的验证 图3硫酸和盐酸对V(II)沉淀的影响 随着酸浓度的增加,沉淀逐渐发生。溶解度在4M H2SO4时达到最低值,但在5M H2SO4时却出乎意料地升高。具体而言,降温会增强硫酸的二次解离反应,从而引发共同离子效应,驱动VSO₄·6H₂O沉淀。然而,在超过4M H2SO4浓度时,H2SO4发生完全的一级解离,形成富含质子的环境。根据勒夏特列原理,丰富的质子抑制了HSO4–的去质子化,使平衡向左移动并进一步降低SO4²⁻浓度,从而减弱沉淀倾向。解离现象在高酸度条件下更为显著,表现为SO4²⁻拉曼吸收带逐渐减弱,并在极高酸浓度下完全消失。 静电势分布显示孤立的V(H2O)₆²⁺表现出强烈的正静电势,能够吸引带负电荷的SO4²⁻通过氢键形成水分离的离子对和簇团。在富含质子的环境中,SO4²⁻会质子化为HSO4–。由HSO4–与V(H2O)₆²⁺之间形成的水分离离子对仍保持净正电荷。在V(H2O)₆²⁺-HSO4–体系中,HSO4–侧的局部静电势接近中性,导致对V(H2O)₆²⁺的静电吸引力较弱,从而阻碍V(H2O)₆²⁺的进一步聚集及沉淀。尽管通过温度驱动解离产生的SO4²⁻倾向于促进沉淀,但高浓度的H⁺会使HSO4–的解离平衡向左移动。V(II)的U形溶解度曲线源于H2SO4驱动的沉淀作用(低于4MH2SO4)与质子介导的酸溶解效应(PMASE,高于4M H2SO4)之间的竞争。基于上述机制,本研究将理论框架扩展至HCl-H₂SO₄体系,系统阐明了其稳定机制,并进一步验证了PMASE在其他体系中的广泛适用性。 在1.5V−3S电解质体系中,增加盐酸浓度会逐渐增强HSO4–的拉曼峰强度,同时持续减弱SO4²⁻的特征吸收带。当加入3M盐酸后,HSO4–峰的强度完全超过了SO4²⁻的强度。与此同时,ATR-FTIR光谱中的SO4²⁻吸收带消失,证实盐酸抑制了SO4²⁻的去质子化过程,从而提升了V(II)电解质在−5°C下的稳定性。此外,添加盐酸后V(II)紫外–可见光谱中的吸收峰位置未发生改变,表明Cl⁻仍存在于V(H2O)₆²⁺的配位层之外。因此,盐酸与过量硫酸共同提升V(II)电解质低温稳定性的作用,均可归因于其对第二配位层内SO4²⁻的调控效应。 4.双位点溶剂化策略 图4低温电解质配方设计 ACN可通过内层配位抑制沉淀的产生,然而高浓度的ACN会损坏VFB的能量效率,因此,优化的电解质配方为含0.5M HCl和0.2M ACN的1.6M V(II)−2.5M H2SO4电解液(记为1.6V−2.5S−0.2ACN−0.5Cl)。该电解液在−10°C条件下可保持完全溶解状态超过10天。作为对比,具有相同V(II)浓度的商用电解液在−10℃下24小时内即发生相分离。 紫外–可见光谱显示加入ACN后,V(II)在560 nm和850 nm处的吸收带均出现明显的蓝移,表明ACN与V(II)之间的配位改变了V(II)离子的能级结构。根据配体场理论(LFT),V(II)的简并d轨道在周围水分子的偶极场中发生分裂,通过对称性匹配线性组合形成V(H2O)₆²⁺的分子轨道。在此构型中,由于缺乏对称匹配的轨道,t₂g轨道基本保持非键合状态,并容纳三个自旋平行的未配对电子。与水相比,ACN作为更强的场配体,其配位作用增加了d轨道分裂能,并扩大了eg*反键轨道与t₂g非键轨道之间的能隙,从而提高了未配对电子d-d跃迁的能量势垒。 此外,拉曼光谱显示加入ACN后,C−C和C≡N伸缩振动峰均出现高频位移,并在253 cm⁻¹处出现新的振动模式。峰的强度随ACN浓度变化呈现依赖性特征。同时,实验光谱与DFT模拟光谱高度吻合。253 cm⁻¹处的振动谱带归属于V−N≡C弯曲振动,可作为配位键形成的直接光谱特征。C≡N键的蓝移现象源于配位过程中作用力常数的增加。分子骨架中电子密度的重新分布也会导致相邻C−C键发生相应的高频位移。此外,C−H伸缩振动频率保持不变,证实金属–配体相互作用仅局限于氮原子附近。 优化后的电解质配方(1.6V−2.5S−0.2ACN−0.5Cl)在−10°C条件下、20至60 mA cm⁻²时均表现出稳定的电池性能。相比之下,基础电解质配方(1.6V−2.5S)在初始循环过程中出现结晶析出,导致明显的电压波动并最终引发电池失效。在40 mA […]
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