【论文赏析】祝贺我司客户吉林大学李昊龙发表NL论文《用于氧化还原液流电池的自组装构建的离子选择性纳米屏障电解质膜》
第一作者:Liang Zhai 通讯作者:Haolong Li 通讯单位:吉林大学 【成果简介】 高选择性离子导电膜(ICMs)是氧化还原液流电池的重要组成部分。然而,打破离子电导率和离子选择性之间的平衡仍然是一个挑战,这可以通过调节它们的纳米结构来解决。吉林大学李昊龙教授团队利用聚金属氧酸酯 (POM)−混合嵌段共聚物 (BCP) 作为自组装添加剂,在ICM基体中构建质子选择性纳米屏障,改善了ICM的微观结构和宏观性能。他们利用BCP和POM的共组装行为及其与聚合物基体的非共价相互作用,在磺化聚醚醚酮基体中构建了具有疏水阻钒中心和亲水质子导电壳的约50 nm椭球状功能纳米组件,从而全面增强了质子电导率、质子选择性和电池性能。这些结果为聚合物电解质膜构建功能纳米结构提供了一种自组装途径,适用于新兴的能源技术。 相关研究成果以“Self-Assembled Construction of Ion-Selective Nanobarriers in Electrolyte Membranes for Redox Flow Batteries”为题发表在Nano Letters上。 【研究背景】 通过先进的能源技术利用可再生能源对可持续社会的发展至关重要。高选择性离子导电膜 (ICMs) 是常用储能转换装置的关键部件,它可以隔离阴/阳电解质溶液中的活性物质,并对特定离子导电完成内部电路。作为一个代表性的例子,钒氧化还原液流电池 (VRFBs) 是一种具有高安全性、长循环寿命和灵活规模的有前途的技术,适用于大规模储能应用,通常需要ICM来传输质子并阻止钒离子的交叉污染。目前,具有优异化学稳定性和质子导电性的全氟磺酸膜是VRFBs中应用最广泛的ICMs。但钒渗透严重、选择性低、成本高等缺点制约了其进一步应用。因此,低成本的无氟膜被视为具有竞争力的ICM替代品。其中,磺化聚醚醚酮 (SPEEK) 因其制备简单、钒渗透率低、机械稳定性好而被积极研究。SPEEK由刚性疏水芳香骨架和亲水性磺化侧基 (−SO3H) 组成,磺酸基直接与苯环相连。聚合物主链柔韧性低,主链与侧基之间的距离小,不利于形成典型的疏亲水纳米相分离结构,导致离子导电的连续性差,质子电导率相对较低。虽然增加SPEEK的磺化程度可以提高质子电导率,但会导致钒的筛选性能和质子选择性急剧下降。因此,在一定磺化程度下,如何同时提高SPEEK的质子电导率和选择性仍然是一个挑战,这需要对其纳米结构进行调控。通过共价反应对SPEEK进行分子修饰可以调整其固有的自组装结构,但通常需要复杂的合成过程。此外,在SPEEK基质中加入功能性纳米添加剂为改善纳米结构和性能提供了更方便的方法。然而,传统的纳米添加剂如无机氧化物纳米粒子、碳纳米材料、MOFs和COFs表面极性高,与聚合物基体相容性差,容易形成无效界面,中断SPEEK的纳米相连续性。因此,开发具有自组装能力的纳米添加剂有望成为优化SPEEK纳米结构和提高SPEEK综合宏观性能的有力途径。 嵌段共聚物 (BCP) 可以自组装成各种可调的纳米结构,被广泛用作制造纳米结构聚合物材料的前驱体。此外,BCP与功能组分的共组装可以使BCP基材具有特定的应用附加性能。例如,聚金属氧酸盐 (POM),一类具有优异质子导电性的约1 nm的离子金属氧化物纳米团簇,可以与BCP共组装,以开发纳米结构的质子导电聚合物电解质。本文报道了通过BCP和POM的共组装在SPEEK膜中构建质子选择性纳米屏障 (图1)。BCP由聚苯乙烯 (PS) 和聚乙烯基吡咯烷酮 (PVP) 组成,在SPEEK基体中被H3PW12O40 (PW) 和原位核壳结构纳米组件功能化。疏水性PS核和质子导电PVP/PW壳层可以有效地屏蔽钒离子,同时促进质子的传输,使这些核壳纳米组件成为质子选择性纳米屏障,从而整体增强了质子电导率、质子选择性和VRFB性能。本文系统地研究了共组装机理和结构性能关系。这项工作提出了一个通过加入自组装纳米添加剂来改善电解质膜的概念,并且可以应用于其他聚合物材料。 图1 用于修饰SPEEK的质子选择性PSP/PW纳米势垒的自组装结构示意图。 【核心内容】 为了保证较低的钒渗透率和良好的尺寸稳定性,合成了磺化度为60%的SPEEK作为聚合物基体。合成了由PS和PVP以等体积分数组成的对称PSP50,分子量Mn为54.6 kg mol-1,PDI为1.07。PVP的吡咯烷酮环上的N和O原子都具有一对孤电子,因此PVP很容易与酸性基团相互作用,N原子很可能被质子化。此外,PVP作为PW的载体,在完全水合条件下保护阴离子PW不泄漏,并有助于构建有效的含PW的质子跳跃路线。 为了避免宏观相分离并确保主要的质子传导−SO3H基团的含量,在所有混合膜中PW含量设置为4 wt%。采用溶液浇铸法制备了PSP50含量递增的SPEEK/PSP50/PW三元混合膜,分别命名为S-H1、S-H2和S-H3。为了探讨PSP50的作用,还制备了SPEEK/PVP/PW三元混合膜 (S-HP),在相同PW含量的情况下,用分子量相近的PVP均聚物取代PSP50进行比较。如图2a所示,所有的混合膜都是透明的,并且表现出与原始SPEEK相似的外观。利用ATR-FTIR和XPS表征了SPEEK/PSP50/PW混合膜组分之间的非共价相互作用。在S-H2中,SPEEK中的1650 cm-1和PSP50中的1660 cm-1的特征C=O峰分别移至1647和1653 cm-1,表明三种组分之间存在氢键 (图2b)。此外,在SPEEK中,O=S=O在1215 cm-1处的不对称拉伸振动在S-H2中略有蓝移,这应该是氢键和−SO3H与吡咯烷酮环之间静电相互作用导致的。在XPS结果中,S-H2中N 1s结合能正向移动到401.1 […]
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